双堆栈架构超300层 三星计划明年生产9代V-NAND闪存

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【太平洋科技资讯】三星电子计划在明年生产第9代V-NAND闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过300层。这一计划将使三星超过竞争对手SK海力士，后者计划在2025年上半年开始量产321层的三层堆栈架构NAND闪存。早在2020年，三星就首次引入了双层堆栈架构，开始生产第7代V-NAND闪存芯片。

双层堆栈架构是指在300mm晶圆上生产一个3D NAND堆栈，然后在第一个堆栈的基础上再建立一个堆栈。

三星即将生产的超过300层的第9代V-NAND将提高单个晶圆上的存储密度，从而有利于降低固态硬盘的成本。

与此同时，作为竞争对手，SK海力士的三层堆栈架构是通过创建三组不同的3D NAND层来实现的。这种做法将增加生产步骤和原材料的使用量，旨在最大限度地提高产量。

此外，据首尔经济日报报道，业界认为在三星推出第9代3D NAND之后，该公司有望在第10代的430层3D NAND中采用三层堆栈架构。该报援引业内人士的话称，如果3D NAND的层数超过400，原材料的使用量和晶圆的成本也会大幅增加，但同时也能保证产量。

在去年10月举行的“2022三星科技日”上，三星提出了长期愿景，即到2030年将层数提升至1000层。这一愿景显示了三星在3D NAND技术领域的雄心壮志。

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