美国无限期豁免后 三星将升级西安工厂NAND芯片工艺至236层

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快科技10月16日消息，根据此前的相关报道，三星和SK海力士获得美国无限期豁免，不需要特别的许可批准，即可为其在中国的工厂安装带有美国技术的制造设备。

对于三星来说这无疑是一个好消息，在取得豁免后三星也确实在采取相应措施。据Business Korea今天的报道，三星电子决定将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺。

报道显示，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付，并于2024年在西安工厂陆续引进可生产236层（第8代）NAND的设备。

三星决定升级其西安工厂的原因主要由两个：

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